人工智能驱动的内存短缺预计将持续至2026年后，供应商股价同步上扬

进入2026年1月，全球内存芯片供应商的股票市场活动显著升温，尤其是在1月5日这一交易日，市场情绪高涨，反映出投资者对人工智能（AI）基础设施建设带来的长期供应紧张局势的预期。此次股价的强劲表现，特别是来自韩国交易所的动态，凸显了市场对高带宽内存（HBM）需求的持续看涨。例如，在1月2日，韩国基准股指KOSPI收盘首次突破4,300点大关，创下历史新高，这主要得益于三星电子和SK海力士等半导体巨头的股价飙升，其中三星电子当日上涨7.17%，SK海力士上涨3.99%，两者均刷新了各自的历史最高价位。

内存芯片市场正经历一场由人工智能驱动的结构性重塑。三星电子的联席首席执行官卢泰文已公开定性此次短缺为“极其严重”，并警告称对智能手机等终端产品的价格影响将是“不可避免”的。这种供应紧张的根源在于AI服务器对HBM的爆炸性需求，迫使制造商将产能和研发资源向高附加值领域倾斜。数据显示，AI服务器对DRAM和NAND的需求量分别是普通服务器的数倍，仅OpenAI等巨头的大模型项目就消耗了全球近40%的DRAM晶圆产能。

价格的剧烈上涨已在2025年充分体现。根据DIGITIMES Research的统计，从2024年底到2025年12月，DDR4 16Gb的现货价格从约3.2美元飙升至超过62美元，涨幅高达约1,800%，创下近年来的市场纪录。 同期，DDR5 16Gb现货价格也上涨超过500%。 展望2026年第一季度，内存合约价格预计将再攀升30%至40%。 这种成本压力正不可避免地向消费电子领域传导，IDC预测，2026年全球PC出货量可能因内存成本过高而萎缩高达8.9%（悲观情景）或4.9%（温和情景）。

主要参与者正积极应对这一“超级周期”。SK海力士在2025年以53%的市场份额领跑HBM市场，三星以35%位居第二，美光占11%。 为应对AI服务器对HBM的迫切需求，芯片制造商正在加速下一代产品的开发，例如三星计划于2026年2月启动HBM4的大规模量产，SK海力士也将同步推进。 然而，供应端的扩张受制于物理瓶颈，行业分析指出，建设一座先进的芯片制造厂至少需要两到三年的周期，这意味着结构性紧张在中期内难以根本缓解。

投资者对主要供应商的信心体现在其2025年的股价表现上。SK海力士的股价在2025年实现了近四倍的涨幅，而三星的股价也翻了一番多。 美光科技（MU）的表现同样抢眼，其股价在过去八个月内暴涨超过四倍，摩根士丹利分析师甚至将其第一季度的营收和盈利增长形容为“美国半导体史上最佳表现”。 分析师观点已将当前的繁荣期定性为可能延伸至2027年的“超级周期”。

与此同时，消费电子制造商如戴尔、联想和小米已发出警告，指出芯片短缺和成本激增正迫使他们调整定价策略。戴尔首席运营官Jeff Clarke直言，从未见过成本以如此速度上涨，影响将不可避免地转嫁给消费者。 这种AI基础设施对产能的“吸血效应”正在重估半导体产业的价值链，消费电子市场已让位于AI基础设施，成为产业的主要驱动力。