AI基礎設施引爆記憶體供應緊縮 晶片供應商股價應聲上揚 緊俏態勢預計延續至2026年後

進入2026年1月，全球記憶體晶片供應商的股價在資本市場上呈現顯著的強勁走勢，此波漲勢的核心驅動力來自於人工智慧（AI）基礎建設的結構性需求所導致的供應短缺。市場投資人正積極反應對未來記憶體價格持續攀升的預期，特別是針對AI伺服器關鍵元件高頻寬記憶體（HBM）的產能排擠效應。

記憶體製造巨擘的股價表現尤為突出。SK Hynix在2025年股價已累計上漲近四倍，而三星的股價在同年亦實現翻倍成長。具體至2026年1月5日（星期一）的交易活動中，Micron（美光）在盤前交易時段上揚超過3%，而前一個交易日，SK Hynix收盤上漲近3%，三星則收高近7.5%，顯示市場信心堅定。此外，其他相關同業如Western Digital、Applied Digital以及Seagate Technology等公司股價亦在同日上揚超過3%，而SanDisk也錄得約1.5%的漲幅，反映出整個產業鏈的樂觀情緒。

此次供應緊縮的根本原因在於AI對HBM的剛性需求，正重塑晶圓廠的產能分配邏輯。根據產業內部數據分析，生產1GB的HBM3E晶片大約會消耗三倍於DDR5的晶圓產能，這導致標準DRAM和NAND Flash的產能被「被動限產」。TrendForce（集邦科技）的最新調查指出，由於原廠持續將產能和先進製程優先配置給HBM等高毛利應用，預計2026年第一季，一般型DRAM的合約價格將季增55%至60%，NAND Flash則上漲33%至38%。分析師將此結構性稀缺定性為可能延續至2027年的「超級循環」。

供應鏈的擠壓效應已對消費性電子產品市場產生實質影響。三星電子共同執行長TM Roh形容此次短缺為「前所未見」，並坦言記憶體晶片價格飆升對智慧型手機和電視等消費性電子產品的影響「不可避免」。國際數據公司（IDC）的預測顯示，部分原因歸咎於記憶體短缺，2026年的個人電腦（PC）出貨量可能下降高達9%。金融時報的業界估計指出，全球消費電子產品的平均價格可能因此上漲約20%，戴爾科技（DELL）營運長Jeff Clarke也表示，目前零組件成本的漲幅是其職涯中前所未見的，最終將轉嫁給消費者。

記憶體製造商正積極應對產能瓶頸，但短期內緩解供應壓力的難度極高。SK Hynix位於南韓清州的M15X晶圓廠雖提前至2026年2月啟用，但新增產能幾乎全數被鎖定用於供應NVIDIA所需的HBM4記憶體，對改善消費市場的供給助益甚微。同樣地，三星電子正加速擴建平澤P4廠，目標在2026年底前將HBM月產能提升至約25萬片晶圓，但此舉同樣是以壓縮傳統DRAM產線為代價，預計2026年傳統DRAM的供應成長幅度僅約16%。Micron執行長Sanjay Mehrotra明確表示，預期記憶體市場的緊俏狀態將持續至2026年之後，反映出業界對長期供需失衡的共識。

歷史數據顯示，記憶體產業的價格波動劇烈，例如DDR4 16Gb的現貨價格在2024年底至2025年12月間曾飆升約1,800%。儘管記憶體原廠的資本支出增加，但新建晶圓廠從規劃到滿載通常需要三到五年時間，這意味著短期內難以透過擴產來解決結構性稀缺問題。業界普遍認為，2026年半導體供應緊張的關鍵在於製造端的物理限制，而非需求短期暴增，這場由AI驅動的資源重新分配戰爭，將持續重塑記憶體市場的供需格局，並對終端消費市場的價格與規格產生深遠影響。