সেমিকন্ডাক্টর পরমাণুর স্থানীয় বিন্যাস ইলেকট্রনিক বৈশিষ্ট্যকে প্রভাবিত করে

সম্পাদনা করেছেন: Vera Mo

সেমিকন্ডাক্টর উপাদানের মধ্যে পরমাণুগুলির এলোমেলো বিন্যাস নয়, বরং নির্দিষ্ট স্থানীয় প্যাটার্ন তাদের ইলেকট্রনিক বৈশিষ্ট্যকে উল্লেখযোগ্যভাবে প্রভাবিত করতে পারে। এই যুগান্তকারী তথ্যটি সেপ্টেম্বর ২০২৫-এ লরেন্স বার্কলে ন্যাশনাল ল্যাবরেটরি (বার্কলে ল্যাব) এবং জর্জ ওয়াশিংটন বিশ্ববিদ্যালয়ের একটি যৌথ গবেষণা প্রকাশ করেছে, যা বিজ্ঞান জার্নালে প্রকাশিত হয়েছে।

গবেষকরা জার্মেনিয়াম-টিন (GeSn) অ্যালয় নিয়ে কাজ করেছেন, যা কোয়ান্টাম কম্পিউটিং এবং অপ্টোইলেকট্রনিক্সের জন্য অত্যন্ত সম্ভাবনাময়। উন্নত ৪ডি স্ক্যানিং ট্রান্সমিশন ইলেক্ট্রন মাইক্রোস্কোপি (4D-STEM) ব্যবহার করে, তারা GeSn নমুনায় স্পষ্ট, পুনরাবৃত্তিমূলক পারমাণবিক বিন্যাস পর্যবেক্ষণ করেছেন। এটি সেমিকন্ডাক্টর উপাদানে শর্ট-রেঞ্জ অর্ডার (SRO) এর প্রথম প্রত্যক্ষ পরীক্ষামূলক প্রমাণ।

এই পারমাণবিক বিন্যাসগুলি ব্যাখ্যা করার জন্য, দলটি জর্জ ওয়াশিংটন বিশ্ববিদ্যালয়ের তিয়ানশু লি-র দলের সাথে সহযোগিতা করেছে। লি-র সহকর্মীরা লক্ষ লক্ষ পরমাণুর সিমুলেশন করতে সক্ষম একটি অত্যাধুনিক মেশিন-লার্নিং মডেল তৈরি করেছেন। এই সমন্বিত পদ্ধতি গবেষকদের পরীক্ষামূলক নকশাগুলির সাথে নির্দিষ্ট পারমাণবিক কাঠামোগুলিকে সঠিকভাবে মেলাতে সক্ষম করেছে, যার ফলে GeSn অ্যালয়ে SRO-এর একটি ব্যাপক বোঝাপড়া তৈরি হয়েছে।

এই আবিষ্কারগুলি ভবিষ্যতের মাইক্রোইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলির বিকাশের জন্য তাৎপর্যপূর্ণ প্রভাব ফেলে। SRO-কে নির্ভুলভাবে নিয়ন্ত্রণ করে, বিজ্ঞানীরা সেমিকন্ডাক্টরগুলির ইলেকট্রনিক বৈশিষ্ট্যগুলিকে কার্যকরভাবে তৈরি করতে পারেন। এই অগ্রগতি আরও দক্ষ এবং বিশেষায়িত ইলেকট্রনিক উপাদান তৈরির দিকে পরিচালিত করতে পারে, যা পারমাণবিক-স্তরের সেমিকন্ডাক্টর ডিজাইনের দিকে একটি উল্লেখযোগ্য পদক্ষেপের প্রতিনিধিত্ব করে। জার্মেনিয়াম-টিন অ্যালয়গুলি উচ্চতর ক্যারিয়ার মোবিলিটি প্রদর্শন করে, যা উচ্চ-গতির মেটাল-অক্সাইড-সেমিকন্ডাক্টর ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর (MOSFETs) তৈরিতে সহায়ক হতে পারে।

গবেষণাটি কোয়ান্টাম উপকরণ, নিউরোমরফিক কম্পিউটিং এবং অপটিক্যাল ডিটেক্টর সহ বিস্তৃত প্রযুক্তিতে প্রভাব ফেলতে পারে। এই গবেষণাটি ইউ.এস. ডিপার্টমেন্ট অফ এনার্জি-র সায়েন্স অফিস এবং মলিকুলার ফাউন্ড্রি দ্বারা সমর্থিত ছিল। ফলাফলগুলি ২০২৫ এম.আর.এস. স্প্রিং মিটিং ও এক্সিবিশনেও উপস্থাপন করা হয়েছিল।

এই গবেষণায় আনিস আত্তিয়াউই, জন লেন্টজ, লिलিয়ান ভগল, জোসেফ সি. ওয়াইসিক, জারোড মেয়ার, শুন্ডা শেন, কুনাল মুখার্জি, তিয়ানশু লি, অ্যান্ড্রু মাইনর এবং পল ম্যাকইন্টায়ার সহ প্রধান ব্যক্তিরা জড়িত ছিলেন। লिलিয়ান ভগল বর্তমানে ম্যাক্স প্ল্যাঙ্ক ইনস্টিটিউট ফর সাসটেইনেবল ম্যাটেরিয়ালসের একজন গ্রুপ লিডার এবং তিয়ানশু লি জর্জ ওয়াশিংটন বিশ্ববিদ্যালয়ের সিভিল অ্যান্ড এনভায়রনমেন্টাল ইঞ্জিনিয়ারিং-এর অধ্যাপক।

এই গবেষণাটি সেমিকন্ডাক্টর উপাদানের পারমাণবিক স্তরে বিন্যাস বোঝার ক্ষেত্রে একটি নতুন দিগন্ত উন্মোচন করেছে। মেশিন লার্নিং-এর মতো উন্নত প্রযুক্তির ব্যবহার, পরীক্ষামূলক পর্যবেক্ষণ এবং তাত্ত্বিক মডেলিং-এর সমন্বয়, ভবিষ্যতের ইলেকট্রনিক্স এবং কোয়ান্টাম প্রযুক্তির বিকাশে গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করবে। এই অগ্রগতিগুলি আরও উন্নত এবং কার্যকরী ডিভাইস তৈরির পথ প্রশস্ত করবে, যা প্রযুক্তির সীমানা প্রসারিত করবে।

উৎসসমূহ

  • News Center

  • Atomic Neighborhoods in Semiconductors Provide New Avenue for Designing Microelectronics – Berkeley Lab News Center

  • Shining Light on Short-Range Ordering in Group-IV Semiconductor Alloys

  • Lilian Vogl

আপনি কি কোনো ত্রুটি বা অসঠিকতা খুঁজে পেয়েছেন?

আমরা আপনার মন্তব্য যত তাড়াতাড়ি সম্ভব বিবেচনা করব।