Một nghiên cứu gần đây từ UC Berkeley tiết lộ mối liên hệ giữa độ sâu của rãnh não và kỹ năng suy luận ở trẻ em và thanh thiếu niên. Được công bố vào ngày 19 tháng 5 năm 2025 trên *Tạp chí Khoa học Thần kinh*, nghiên cứu chỉ ra rằng các rãnh tertiary sâu hơn, các rãnh nhỏ trên bề mặt não, tương quan với khả năng kết nối não được tăng cường.
Nghiên cứu do Kevin Weiner và Silvia Bunge dẫn đầu, cho thấy các rãnh sâu hơn có liên quan đến khả năng kết nối lớn hơn giữa vỏ não trước trán bên và vỏ não đỉnh bên. Các vùng não này rất quan trọng đối với các chức năng nhận thức cấp cao. Các rãnh có thể rút ngắn khoảng cách giữa các khu vực này, có khả năng tăng tốc độ giao tiếp và cải thiện hiệu quả thần kinh.
Những phát hiện này cho thấy rằng sự thay đổi trong các rãnh tertiary có thể giải thích sự khác biệt cá nhân về hiệu suất nhận thức. Theo Weiner và Bunge, những rãnh này có thể đóng vai trò là chỉ số chẩn đoán cho khả năng suy luận hoặc rối loạn phát triển thần kinh. Nhóm nghiên cứu đặt mục tiêu khám phá thêm vai trò của rãnh trong chức năng và nhận thức của não.
Nghiên cứu bao gồm 43 người tham gia trong độ tuổi từ 7 đến 18. Sử dụng fMRI, các nhà nghiên cứu đã phân tích hoạt động não trong một nhiệm vụ suy luận, cho thấy rằng độ sâu của các rãnh cụ thể có liên quan đến tính trung tâm mạng cao hơn ở các vùng trước trán và đỉnh.