量子材料Mn3Si2Te6が斬新な磁気抵抗を示し、データストレージに革命をもたらす

編集者: gaya ❤️ one

材料科学は量子力学の影響をますます受けており、現代技術に影響を与えています。2025年5月2日、エネルギー省(DOE)科学局は、化合物Mn3Si2Te6 [4, 7] に関する重要な発見を発表しました。この材料は、磁場にさらされると絶縁体から導体に変化し、巨大磁気抵抗(CMR)を示します [4, 13]。

このユニークな特性は、磁場における電気的変化に対して非常に耐性のある材料の作成につながり、データストレージおよびセンサー技術を潜在的に変革する可能性があります [4]。この研究は、材料が微視的なレベルで絶縁状態と金属状態の間をどのように切り替わるかについての洞察を提供し、キラル軌道電流を含む新しい量子状態を明らかにします [4, 1, 3]。

チームの発見は、型破りな磁気抵抗材料を設計するための道筋を提供します [4]。この材料であるMn3Si2Te6は、磁場にさらされると電気伝導率に大幅な変化を示します。これは巨大磁気抵抗として知られる特性です [5, 9, 13]。この効果が磁気分極に依存する従来の材料とは異なり、Mn3Si2Te6は完全な磁気分極を回避することでCMRを実現し、CMRの研究と応用のための新しいアプローチを提供します [1, 8, 6]。キラル軌道電流の発見と制御、および磁気抵抗への影響は、新しい量子技術につながる可能性があります [1, 2, 11]。

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