中国と米国の研究者たちは、二次元磁性材料であるクロムインジウムテルライド（CIT）の合成に成功し、室温での強磁性を実現しました。この発見は、化学気相輸送法を用いて行われ、材料科学と技術の新たな可能性を示しています。
CITは、320Kのキュリー温度を持ち、室温での高い飽和磁化を示します。これにより、CITは高性能スピントロニクス、磁気冷凍、および高度な電子デバイスの有望な候補となっています。
日本の研究者たちは、同様の材料の研究を進めており、CITの特性を活かした新しい電子デバイスの開発に期待を寄せています。日本の電子部品市場は、2024年には約5兆円規模に達し、今後も成長が見込まれています。CITのような新素材の登場は、この市場に新たな活力を与える可能性があります。
さらに、CITの特性は、省エネルギーデバイスの開発にも貢献すると考えられており、環境問題への取り組みが加速する中で、その重要性は増しています。この発見は、日本の技術革新にとっても大きな意味を持つでしょう。