Xác nhận Điện trở Nhiệt Giao diện trong Vật chất Mật độ Năng lượng Cao: Ý nghĩa đối với Phản ứng Hạch

Các nhà nghiên cứu đã xác nhận sự tồn tại của Điện trở Nhiệt Giao diện (ITR) trong vật chất mật độ năng lượng cao (HED), một phát hiện có thể tác động đáng kể đến nghiên cứu phản ứng hạch giam cầm quán tính. Thí nghiệm, được tiến hành tại cơ sở laser OMEGA 60, bao gồm việc làm nóng một dây vonfram phủ nhựa bằng tia X để tạo ra một giao diện mật độ năng lượng cao. Sử dụng chụp ảnh X quang nhiễu xạ Fresnel, các nhà khoa học đã quan sát thấy sự gián đoạn nhiệt độ khoảng 6 eV tại giao diện, cho thấy dòng nhiệt bị hạn chế và ITR đáng kể. Điện trở nhiệt giao diện đo được là R = 3,7 × 10⁻¹⁰ ± 8 × 10⁻¹¹ m²K/W. Phát hiện này thách thức giả định rằng các electron dẫn điện dồi dào loại bỏ ITR trong môi trường HED. Sự hiện diện của ITR có thể ảnh hưởng đến các phép đo nhiệt độ trong các thí nghiệm nén động và tác động đáng kể đến thiết kế của các viên nang chứa nhiên liệu trong phản ứng hạch giam cầm quán tính, nơi sự gián đoạn nhiệt độ tại các giao diện vật liệu có thể dẫn đến gradien áp suất và ảnh hưởng đến sự phát triển của sự không ổn định thủy động lực học. Việc kết hợp các cân nhắc về ITR vào thiết kế mục tiêu phản ứng hạch có thể cải thiện khả năng dự đoán và thúc đẩy các khái niệm năng lượng phản ứng hạch quán tính.