Material Quântico Mn3Si2Te6 Exibe Magnetorresistência Inovadora, Revolucionando o Armazenamento de Dados

Editado por: gaya ❤️ one

A ciência dos materiais está cada vez mais influenciada pela mecânica quântica, impactando a tecnologia moderna. Em 2 de maio de 2025, o Departamento de Energia (DOE) Office of Science anunciou uma descoberta significativa em relação ao composto Mn3Si2Te6 [4, 7]. Este material faz a transição de um isolante para um condutor quando exposto a um campo magnético, demonstrando magnetoresistência colossal (CMR) [4, 13].

Essa característica única pode levar à criação de materiais altamente resistentes a mudanças elétricas em campos magnéticos, potencialmente transformando as tecnologias de armazenamento de dados e sensores [4]. A pesquisa fornece insights sobre como os materiais alternam entre estados isolantes e metálicos em nível microscópico, revelando novos estados quânticos envolvendo correntes orbitais quirais [4, 1, 3].

As descobertas da equipe oferecem um caminho para projetar materiais magnetoresistivos não convencionais [4]. Este material, Mn3Si2Te6, exibe uma mudança substancial na condutividade elétrica quando exposto a um campo magnético, uma propriedade conhecida como magnetoresistência colossal [5, 9, 13]. Ao contrário dos materiais convencionais, onde este efeito depende da polarização magnética, o Mn3Si2Te6 atinge o CMR evitando a polarização magnética completa, oferecendo uma nova abordagem para estudar e aplicar o CMR [1, 8, 6]. A descoberta e o controle de correntes orbitais quirais e seu impacto na magnetoresistência podem levar a novas tecnologias quânticas [1, 2, 11].

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