Químicos da Virginia Tech Desenvolvem Nova Técnica de Imagem de Bateria para Armazenamento de Energia de Alto Desempenho

Uma equipe de químicos da Virginia Tech, liderada por Feng Lin e Louis Madsen, desenvolveu uma nova técnica de imagem para observar as interfaces da bateria. A descoberta, publicada na *Nature Nanotechnology* em 1º de abril, permite que os pesquisadores espiem dentro das baterias em operação, oferecendo insights sobre as complexas reações químicas que ocorrem em seu interior. Jungki Min, um estudante de pós-graduação em química, explicou a importância da pesquisa, afirmando que existem grandes e antigos desafios nas interfaces, e a equipe está sempre tentando obter um melhor controle sobre essas superfícies enterradas. A descoberta da equipe ocorreu ao examinar uma nova formulação de material eletrolítico. Os eletrólitos, posicionados entre os eletrodos positivo e negativo, facilitam o movimento de partículas carregadas durante o carregamento e descarregamento da bateria. O material eletrolítico ideal é crucial para o desenvolvimento de baterias de alta energia e longa duração, capazes de suportar temperaturas extremas. Isso é particularmente importante para avanços em veículos elétricos, eletrodomésticos e tecnologias alimentadas por IA. Lin e Madsen têm investigado eletrólitos de polímero multifásico, que oferecem o potencial de maior armazenamento de energia, maior segurança e custos reduzidos em comparação com as baterias convencionais. Sua pesquisa se concentra em um eletrólito composto iônico molecular descoberto em 2015. Usando a linha de feixe de raios X de energia suave do Laboratório Nacional de Brookhaven, a equipe identificou a fonte dos problemas de interface: a degradação do sistema de suporte arquitetônico durante o ciclo da bateria, levando, em última análise, à falha. Esta nova técnica de imagem permitirá aos pesquisadores analisar a estrutura e as reações químicas de interfaces enterradas, orientando o projeto de melhores interfaces e inter fases em baterias de polímero sólido.