বস্তু বিজ্ঞান ক্রমবর্ধমানভাবে কোয়ান্টাম মেকানিক্স দ্বারা প্রভাবিত হচ্ছে, যা আধুনিক প্রযুক্তিকে প্রভাবিত করছে। 2 মে, 2025-এ, শক্তি বিভাগ (ডিওই) বিজ্ঞান অফিস Mn3Si2Te6 [4, 7] যৌগ সম্পর্কে একটি গুরুত্বপূর্ণ আবিষ্কার ঘোষণা করেছে। এই উপাদানটি চৌম্বক ক্ষেত্রের সংস্পর্শে এলে একটি অন্তরক থেকে পরিবাহীতে রূপান্তরিত হয়, যা বিশাল ম্যাগনেটোরেসিস্ট্যান্স (সিএমআর) [4, 13] প্রদর্শন করে।
এই অনন্য বৈশিষ্ট্যটি চৌম্বক ক্ষেত্রে বৈদ্যুতিক পরিবর্তনের জন্য অত্যন্ত প্রতিরোধী উপকরণ তৈরি করতে পারে, যা সম্ভাব্যভাবে ডেটা স্টোরেজ এবং সেন্সর প্রযুক্তি [4] পরিবর্তন করতে পারে। এই গবেষণাটি মাইক্রোস্কোপিক স্তরে কীভাবে উপকরণগুলি অন্তরক এবং ধাতব অবস্থার মধ্যে স্যুইচ করে সে সম্পর্কে অন্তর্দৃষ্টি প্রদান করে, যা চিরল অরবিটাল কারেন্ট [4, 1, 3] জড়িত উপন্যাস কোয়ান্টাম অবস্থা প্রকাশ করে।
দলের ফলাফল অপ্রচলিত ম্যাগনেটোরেসিস্ট্যান্ট উপকরণ [4] ডিজাইন করার জন্য একটি পথ সরবরাহ করে। এই উপাদান, Mn3Si2Te6, চৌম্বক ক্ষেত্রের সংস্পর্শে এলে বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা একটি যথেষ্ট পরিবর্তন প্রদর্শন করে, যা বিশাল ম্যাগনেটোরেসিস্ট্যান্স [5, 9, 13] হিসাবে পরিচিত। প্রচলিত উপকরণগুলির বিপরীতে যেখানে এই প্রভাব চৌম্বকীয় মেরুকরণের উপর নির্ভর করে, Mn3Si2Te6 সম্পূর্ণ চৌম্বকীয় মেরুকরণ এড়িয়ে CMR অর্জন করে, যা CMR [1, 8, 6] অধ্যয়ন এবং প্রয়োগ করার জন্য একটি নতুন পদ্ধতি সরবরাহ করে। চিরল অরবিটাল কারেন্টের আবিষ্কার এবং নিয়ন্ত্রণ এবং ম্যাগনেটোরেসিস্ট্যান্সের উপর তাদের প্রভাব নতুন কোয়ান্টাম প্রযুক্তির [1, 2, 11] জন্ম দিতে পারে।