Le matériau quantique Mn3Si2Te6 présente une magnétorésistance inédite, révolutionnant le stockage des données

Édité par : gaya ❤️ one

La science des matériaux est de plus en plus influencée par la mécanique quantique, ce qui a un impact sur la technologie moderne. Le 2 mai 2025, le Bureau des sciences du Département de l'énergie (DOE) a annoncé une découverte significative concernant le composé Mn3Si2Te6 [4, 7]. Ce matériau passe d'un isolant à un conducteur lorsqu'il est exposé à un champ magnétique, démontrant une magnétorésistance colossale (CMR) [4, 13].

Cette caractéristique unique pourrait conduire à la création de matériaux très résistants aux changements électriques dans les champs magnétiques, transformant potentiellement les technologies de stockage de données et de capteurs [4]. La recherche fournit des informations sur la façon dont les matériaux passent d'états isolants à des états métalliques au niveau microscopique, révélant de nouveaux états quantiques impliquant des courants orbitaux chiraux [4, 1, 3].

Les conclusions de l'équipe offrent une voie pour concevoir des matériaux magnétorésistants non conventionnels [4]. Ce matériau, Mn3Si2Te6, présente un changement substantiel de la conductivité électrique lorsqu'il est exposé à un champ magnétique, une propriété connue sous le nom de magnétorésistance colossale [5, 9, 13]. Contrairement aux matériaux conventionnels où cet effet repose sur la polarisation magnétique, Mn3Si2Te6 réalise la CMR en évitant la polarisation magnétique complète, offrant une nouvelle approche pour étudier et appliquer la CMR [1, 8, 6]. La découverte et le contrôle des courants orbitaux chiraux et leur impact sur la magnétorésistance pourraient conduire à de nouvelles technologies quantiques [1, 2, 11].

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